Les modules IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) font partie des semi-conducteurs discrets et regroupent plusieurs IGBT ainsi que des composants de commande et de protection dans un seul boîtier. Ces modules combinent les avantages des transistors bipolaires et des MOSFET, offrant à la fois une faible chute de tension dans l'état conducteur et une commande par tension sur la grille. Ils sont conçus pour simplifier l'intégration dans les systèmes de puissance et assurer une gestion efficace des courants élevés tout en protégeant les dispositifs contre les surintensités et les surtensions.