Spécification
Partie du Fabricant
IPD06N03LB G
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - FET, MOSFET simples
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Conformité Environnementale
Durcissement par Rayonnement
Non
Paramètre Technique
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
50A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4.5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V @ 40μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
22 nC @ 5 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
2800 pF @ 15 V
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Boîtier
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
