Spécification
Partie du Fabricant
IRFS4127TRLPBF
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - FET, MOSFET simples
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Conformité Environnementale
Durcissement par Rayonnement
Non
Paramètre Technique
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
72A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
22mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
150 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
5380 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB