## Aperçu

Le Fairchild Semiconductor 100313DC est un transistor bipolaire à jonction (BJT) de puissance conçu pour des applications de commutation et d’amplification de signaux à haute vitesse. Il est optimisé pour offrir des performances fiables dans les circuits de commande de charge, d’alimentation et de pilotage de relais ou moteurs. Ce composant se caractérise par sa capacité à gérer des courants élevés tout en conservant une faible tension de saturation et une réponse rapide aux transitions.

## Caractéristiques principales

* Type de transistor : NPN bipolaire
* Tension collecteur-émetteur maximale (VCEO) : 60 V
* Courant collecteur maximal (IC) : 1 A continu
* Courant de pointe collecteur (IC peak) : 2 A
* Puissance dissipable maximale (PD) : 400 mW
* Gain en courant (hFE) : 100–300 selon le courant et la tension
* Temps de commutation : très rapide pour applications haute fréquence
* Boîtier : TO-92 ou équivalent compact
* Température de fonctionnement : −65°C à +150°C
* Applications typiques : commutation de relais, pilotage de moteurs, amplification de signaux analogiques

## Spécifications électriques

* VCE (tension collecteur-émetteur) : 60 V maximum
* VBE (tension base-émetteur) : 5 V maximum
* IC (courant collecteur continu) : 1 A maximum
* IB (courant base continu) : 50 mA maximum
* hFE (gain en courant continu) : 100 à 300 pour IC = 10 mA, VCE = 10 V
* VCE(sat) (tension de saturation collecteur-émetteur) : typiquement 0.25 V à IC = 100 mA
* ICBO (courant collecteur-base avec émetteur ouvert) : 100 nA typique à 25°C
* Transition et temps de récupération : temps de montée et descente de quelques dizaines de nanosecondes

## Description fonctionnelle

Le 100313DC est conçu pour fournir un contrôle efficace de charges inductives et résistives dans les circuits à courant modéré. Son faible VCE(sat) réduit les pertes de puissance lors de la conduction, améliorant l’efficacité énergétique dans les circuits de commutation.

* Amplification de signal : le transistor peut amplifier des signaux faibles en tension ou en courant pour piloter des charges plus importantes.
* Commutation rapide : temps de commutation réduit, adapté aux applications numériques ou PWM.
* Robustesse thermique : supporte des températures élevées jusqu’à 150°C, ce qui le rend adapté aux environnements industriels.
* Applications pilotage : idéal pour les relais, LED haute puissance, petits moteurs et circuits logiques de puissance.

## Boîtier et dimensions

* Boîtier : TO-92, plastique encapsulé
* Dimensions typiques : 4,5 mm × 4,0 mm × 5,0 mm
* Broches : émetteur, base, collecteur
* Montage : traversant, facile à souder sur PCB
* Dissipation thermique : 400 mW avec bonne conduction via PCB

## Applications

* Pilotage de relais et actuateurs dans l’automatisation industrielle
* Commande de moteurs à faible puissance
* Amplification analogique dans circuits audio ou capteurs
* Circuits de commutation à haute fréquence et signal PWM
* Modules d’interface logique et conversion de niveaux de tension

## Caractéristiques de performance

Le 100313DC combine robustesse et rapidité :

* Efficacité de commutation : faible VCE(sat) pour réduire les pertes lors de la conduction
* Gain stable : hFE suffisant pour piloter des charges avec des signaux de faible amplitude
* Réponse rapide : temps de transition et récupération optimisés pour applications haute fréquence
* Fiabilité : conçu pour des cycles répétés sans dégradation notable du gain ou de la capacité de commutation
* Tolérance thermique : fonctionne efficacement sur une large plage de températures, adapté aux environnements industriels exigeants

Ce transistor est particulièrement adapté aux circuits où une commutation rapide et fiable avec un courant modéré est nécessaire, tout en conservant une faible dissipation et une haute stabilité thermique.