Paramètre Technique
Configuration
High-Side and Low-Side
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
14V ~ 18V
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 2V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
1A, 2A
Type d%27entrée
Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
650 V
Temps de montée / descente (typ.)
20ns, 20ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Boîtier fournisseur
PG-DSO-18-2
