Paramètre Technique
Configuration
High-Side or Low-Side
Type de canal
Synchronous
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
4.5V ~ 16V
Tension logique - VIL, VIH
0.6V, 2.4V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
4A, 4A
Type d%27entrée
Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
-
Temps de montée / descente (typ.)
4ns, 4ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Boîtier
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Boîtier fournisseur
8-PDIP
