Paramètre Technique
Nombre de circuits d'attaque
1
Type de grille
N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
4.5V ~ 18V
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 2V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
3A, 3A
Type d'entrée
Inverting, Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
-
Temps de montée / descente (typ.)
13ns, 9ns
Tempéature de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
6-WDFN Exposed Pad
Boîtier fournisseur
6-MicroFET (2x2)