Paramètre Technique
Configuration
Half-Bridge
Nombre de circuits d%27attaque
6
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 2.2V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
250mA, 500mA
Type d%27entrée
Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
90ns, 40ns
Tempéature de fonctionnement
125 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Boîtier fournisseur
28-SOIC