Paramètre Technique
Configuration
Half-Bridge
Nombre de circuits d%27attaque
6
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 3V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
200mA, 350mA
Type d%27entrée
Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
125ns, 50ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Boîtier fournisseur
44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)