Paramètre Technique
Configuration
Half-Bridge
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
6V, 9.5V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
2.5A, 2.5A
Type d%27entrée
Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
25ns, 17ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Boîtier fournisseur
16-SOIC
