Paramètre Technique
Configuration
Half-Bridge
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d'attaque
2
Type de grille
N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
9V ~ 16V
Tension logique - VIL, VIH
3V, 8V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
2A, 2A
Type d'entrée
Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
118 V
Temps de montée / descente (typ.)
400ns, 400ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
