Paramètre Technique
Configuration
Half-Bridge
Type de canal
Synchronous
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
4.15V ~ 6V
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 2V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
3A, 3A
Type d%27entrée
Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
25 V
Temps de montée / descente (typ.)
14ns, 12ns
Tempéature de fonctionnement
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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