CSD13201W10
CSD13201W10
Active
Description:  MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Fabricant:  Texas Instruments
Fiche Technique:   CSD13201W10 Fiche Technique
Histoire Prix: $0.50000
En stock: 39995
CSD13201W10 vs CSD23280F3T
Partie du Fabricant
Série
NexFET
FemtoFET
Emballage
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Statut
Active
Active
Type de FET
N-Channel
P-Channel
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
12 V
12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1.6A (Ta)
1.8A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1.8V, 4.5V
1.5V, 4.5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
34mOhm @ 1A, 4.5V
116mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs(th) (max.) à Id
1.1V @ 250μA
0.95V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
2.9 nC @ 4.5 V
1.23 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
?V
-6V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
462 pF @ 6 V
234 pF @ 6 V
Fonction FET
-
-
Dissipation de puissance (max.)
1.2W (Ta)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Surface Mount
Boîtier fournisseur
4-DSBGA (1x1)
3-PICOSTAR
Boîtier
4-UFBGA, DSBGA
3-XFDFN