CSD13303W1015
CSD13303W1015
Active
Description:  MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Fabricant:  Texas Instruments
Fiche Technique:   CSD13303W1015 Fiche Technique
Histoire Prix: $0.53000
En stock: 32415
CSD13303W1015 vs CSD23382F4T
Partie du Fabricant
Série
NexFET
FemtoFET
Emballage
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Statut
Active
Active
Type de FET
N-Channel
P-Channel
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
12 V
12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
31A (Ta)
3.5A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2.5V, 4.5V
1.8V, 4.5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
20mOhm @ 1.5A, 4.5V
76mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (max.) à Id
1.2V @ 250μA
1.1V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
1.35 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
?V
?V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
715 pF @ 6 V
235 pF @ 6 V
Fonction FET
-
-
Dissipation de puissance (max.)
1.65W (Ta)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Surface Mount
Boîtier fournisseur
6-DSBGA (1x1.5)
3-PICOSTAR
Boîtier
6-UFBGA, DSBGA
3-XFDFN