Emballage
Tube
Tape & Reel (TR)
Type de FET
P-Channel
N-Channel
Technologies
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)
150 V
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
13A (Tc)
64A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
290mOhm @ 6.6A, 10V
14mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V @ 250μA
4V @ 250μA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
66 nC @ 10 V
81 nC @ 10 V
Capacité d%27entrée (Ciss) (max.) à Vds
860 pF @ 25 V
1970 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (max.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
3.8W (Ta), 130W (Tc)
Température de fonctionnement
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Surface Mount
Boîtier fournisseur
TO-262
D2PAK
Boîtier
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
