Technologies
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1700 V
1700 V
Courant - Moyen redressé (Io)
136A
82A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.8 V @ 50 A
1.8 V @ 30 A
Vitesse
No Recovery Time >500mA (Io)
No Recovery Time >500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
200 μA @ 1700 V
200 μA @ 1700 V
Capacité à Vr, F
4450pF @ 1V, 1MHz
2070pF @ 1V, 1MHz
Type de montage
Through Hole
Through Hole
Boîtier
TO-247-3
TO-247-2
Boîtier fournisseur
TO-247-3
TO-247
Température de fonctionnement - Jonction
-55 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 175 ℃
