Emballage
Bulk or Tube
Tube
Statut
Active
Not For New Designs
Configuration
Half-Bridge
Half-Bridge
Type de canal
Independent
Synchronous
Nombre de circuits d%27attaque
2
2
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
10V ~ 15.6V
Tension logique - VIL, VIH
6V, 9.5V
-
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
3A, 3A
-
Type d%27entrée
Non-Inverting
RC Input Circuit
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
200 V
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
10ns, 15ns
80ns, 45ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Through Hole
Boîtier
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Boîtier fournisseur
16-SOIC
8-PDIP
