IR2011STRPBF
IR2011STRPBF
Active
Description:  IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Fiche Technique:   IR2011STRPBF Fiche Technique
Histoire Prix: $3.46000
En stock: 18750
IR2011STRPBF vs IR2136STRPBF
Partie du Fabricant
Série
-
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Statut
Active
Active
Configuration
High-Side or Low-Side
Half-Bridge
Type de canal
Independent
3-Phase
Nombre de circuits d%27attaque
2
6
Type de grille
N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
0.7V, 2.2V
0.8V, 3V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
1A, 1A
200mA, 350mA
Type d%27entrée
Inverting
Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
200 V
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
35ns, 20ns
125ns, 50ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Surface Mount
Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
28-SOIC