Configuration
Half-Bridge
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Type de canal
Synchronous
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Nombre de circuits d%27attaque
2
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Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
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Tension - Alimentation
5V ~ 20V
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Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 2.9V
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Courant - Sortie de crête (source, absorption)
200mA, 350mA
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Type d%27entrée
Non-Inverting
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Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
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Temps de montée / descente (typ.)
130ns, 50ns
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Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
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Type de montage
Surface Mount
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Boîtier
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Boîtier fournisseur
8-SOIC
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