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APTGT225DA170G
APTGT225DA170G
Active
Transistors - IGBT - Modules IGBT
Description:  IGBT MODULE 1700V 340A 1250W SP6
Fabricant:  Microsemi Corporation
Fiche Technique:   APTGT225DA170G Fiche Technique
Histoire Prix: Active
En stock: 11845
Distributeurs
Spécification
Fiche Technique PDF
Équivalent
APTGT225DA170G Spécification
Spécification
Partie du Fabricant
APTGT225DA170G
Catégorie
Transistors - IGBT - Modules IGBT
Fabricant
Microsemi Corporation
Série
-
Emballage
Bulk
Statut
Active
Conformité Environnementale
Sans Plomb
Durcissement par Rayonnement
Non
REACH SVHC
Sans SVHC
RoHS
Conforme
Code SH
-
Paramètre Technique
Type d'IGBT
Trench Field Stop
Configuration
Single
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
1700 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
340 A
Puissance - Max.
1250 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
2.4V @ 15V, 225A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
500 μA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce
20 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance CTN
No
Température de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Boîtier
SP6
Boîtier fournisseur
SP6
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    David Aguirre
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    Madeleine Hubert
    France
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    2026-10-22 13:27
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