Paramètre Technique
Configuration
Half-Bridge
Type de canal
Independent
Nombre de circuits d%27attaque
2
Type de grille
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
13V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
1.5V, 3.5V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
2.4A, 2.4A
Type d%27entrée
Inverting, Non-Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
1200 V
Temps de montée / descente (typ.)
30ns, 50ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TA)
Type de montage
Surface Mount
Boîtier
36-BSSOP (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Boîtier fournisseur
PG-DSO-36
