Statut
Discontinued
Obsolete
Configuration
Half-Bridge
Half-Bridge
Type de canal
Independent
3-Phase
Nombre de circuits d%27attaque
2
6
Type de grille
IGBT, N-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation
10V ~ 20V
10V ~ 20V
Tension logique - VIL, VIH
0.8V, 2.3V
0.8V, 3V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
60mA, 130mA
200mA, 350mA
Type d%27entrée
Non-Inverting
Inverting
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
200ns, 100ns
125ns, 50ns
Tempéature de fonctionnement
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Type de montage
Through Hole
Surface Mount
Boîtier
8-DIP (0.300", 7.62mm)
44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Boîtier fournisseur
8-PDIP
44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
